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近期，存儲芯片大廠三星、SK海力士、美光公司等陸續控制產能、醞釀提價，受到業界關注。

(資料圖)

多位業內人士在接受《證券日報》記者采訪時表示，存儲芯片價格下行周期一般為1年至2年，本輪存儲芯片價格下行自2021年年中開始，結合各大廠自去年下半年起陸續下調產能計劃，存儲芯片下行周期逐漸走向尾聲。

信息技術高速發展帶來數據存儲需求不斷增長，未來存儲芯片市場空間廣闊，在行業周期觸底之際，A股上市公司競相布局存儲芯片賽道。一方面，加快技術升級提升競爭力，另一方面，積極開拓市場增加市場份額，緊抓行業復蘇機遇。

海外巨頭減產醞釀漲價

全球半導體存儲芯片以非線性宏單元模式存儲器(NAND Flash)和動態隨機存取存儲器(DRAM)為主，二者市場規模占整個半導體存儲芯片市場比例達到95%以上。繼今年7月份海外廠商三星、SK海力士等先后傳出計劃在下一季拉動DRAM價格上漲后，近日，NAND Flash市場也出現合約價上調信號。

根據調研機構集邦咨詢發布的報告，近期有NAND Flash原廠成功拉漲Wafer合約價，NAND Flash現貨市場出現短期漲勢，部分品類出現較積極詢價需求。產能方面，2022年四季度起，鎧俠、美光公司率先啟動減產，三星今年二季度跟進。

集邦咨詢分析師林大翔向《證券日報》記者表示：“由于賣方目前握有NAND Flash產品漲價的主導權，短期內市場價格將有所波動。今年四季度韓國廠商仍將加大NAND Flash減產規模，來穩定價格，但對照實際終端需求，買方仍保守甚至偏悲觀看待后續需求展望，即便采購價格被迫提高，仍難刺激訂單量上升，所以本次現貨市場價格漲勢能否延續仍待觀察。”

9月8日，《證券日報》記者來到深圳華強北市場走訪，在多家電子元器件商家處看到，采購商并不多。經銷商黃先生向《證券日報》記者表示：“存儲芯片從2021年價格高點下跌以后，市場需求還沒有明顯回升，經銷商大部分不愿囤貨，以消化庫存為主。整體價格處于底部橫盤，但部分型號由于缺貨價格相對較高。”

對于NAND Flash模組價格上漲帶來的影響，佰維存儲方面近日在半導體行業2023年半年度業績說明會上表示：“近期，上游原廠正在逐步提高晶圓及顆粒售價，但下游需求仍然疲軟，公司將密切關注行情后續走勢，如果價格持續復蘇，將有利于公司的業績。”據了解，在庫存策略上，佰維存儲在周期低點加強戰略備庫，為行業復蘇積極準備。

上市公司加速拓展市場

目前全球主要的NAND Flash廠商為三星、鎧俠、西部數據、SK海力士等，DRAM主要廠商為三星、SK海力士等。我國存儲芯片廠商目前所占市場份額較低。在全球存儲芯片周期低谷之中，多家A股上市公司逆勢布局，通過并購、定增等提升競爭力。

9月6日，江波龍披露擬購買力成科技(蘇州)有限公司70%股權事項進展。本次交易完成后，江波龍將通過控制及實際運營力成科技(蘇州)有限公司新增存儲芯片封裝測試等業務，補足公司封裝測試的生產能力，完善產業鏈布局。今年6月份，江波龍還宣布擬購買SMART Brazil及其子公司81%股權，進一步拓展當地市場。

江波龍近日在業績說明會上表示：“今年上半年公司業績有所承壓，但實際上從全球市場份額來看，公司市占率反而有所提升。未來，公司將聚焦于存儲產業，不斷提升公司的市場影響力和核心競爭力，進一步提升經營管理水平，增強公司的長期盈利能力。”

今年7月份，佰維存儲披露定增預案，擬募資不超過45億元，用于惠州佰維先進封測及存儲器制造基地擴產建設項目、晶圓級先進封測制造項目、研發中心升級建設項目、補充流動資金。

佰維存儲方面表示：“本次定增將提升公司的存儲器封測產能并構建晶圓級封測能力。當前，國產存儲產業鏈屬于發展初期，挑戰與機遇并存，公司此次定增有助于把握行業發展的歷史性機遇。”

深科技方面近日在接受機構調研時表示：“公司認為隨著先進封裝技術壁壘不斷提高，率先擁有先進封裝技術和產能儲備的封測企業將有望通過技術和規模壁壘取得行業領先優勢。在存儲半導體領域，公司將緊跟存儲半導體行業市場和國內外客戶需求，繼續加快擴充優質產能，通過優化產品結構發展新業務，進一步拓寬業務布局。”